联发科旗舰芯片迎来重大突破,全新天玑9600将首次搭载2颗ARM超大核,全面对标高通下一代骁龙8EliteGen6,性能与架构全面升级。天玑9600将采用2+3+3全新CPU架构,核心规格为2×ARMC2-Ultra超大核、3×ARMC2-Premium大核、3×ARMC2-Pro中核,彻底放弃能效小核,最大化释放台积电先进工艺的能效潜力。工艺层面,天玑9600将采用台积电N2P工艺,相比N2工艺
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联发科旗舰芯片迎来重大突破,全新天玑9600将首次搭载2颗ARM超大核,全面对标高通下一代骁龙8EliteGen6,性能与架构全面升级。天玑9600将采用2+3+3全新CPU架构,核心规格为2×ARMC2-Ultra超大核、3×ARMC2-Premium大核、3×ARMC2-Pro中核,彻底放弃能效小核,最大化释放台积电先进工艺的能效潜力。工艺层面,天玑9600将采用台积电N2P工艺,相比N2工艺
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11月15日,美光宣布LPDDR5X移动存储器已获得高通最新旗舰智能手机移动平台Snapdragon®8Gen2验证,并已集成到Snapdragon8Gen2参考设计中。美光最新LPDDR5X专为高端和旗舰智能手机打造,峰值速度8.533Gbps,比上一代LPDDR5提高33%。美光LPDDR5X已开始量产,并在全球范围内出货。
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